MRFE6VP8600HR6 MRFE6VP8600HR5 MRFE6VP8600HSR6 MRFE6VP8600HSR5
9
RF Device Data
Freescale Semiconductor
470--860 MHz REFERENCE CIRCUIT
VDD
=50Volts,IDQ
= 1400 mA, Channel Bandwidth = 8 MHz, Input
Signal PAR = 9.5 dB @ 0.01% Probability on CCDF, TC
=50°C.
Signal Type
Pout
(W)
f
(MHz)
Gps
(dB)
ηD
(%)
Output
PAR
(dB)
IMD
Shoulder
(dBc)
DVB--T (8k OFDM)
125 Avg.
470
19.0
27.2
8.2
--31.1
650
20.3
30.6
7.6
--30.3
860
19.0
27.9
7.7
--30.4
Figure 14. MRFE6VP8600HR6(HSR6) Broadband Test Circuit Component Layout ? 470--860 MHz
MRFE6VP8600H
Rev. 1
C1
C2
L1
R1
COAX1
COAX2
C4
C5
C6
C7
C8
C9*
C13
C14
L2
R2
C39 C40
COAX3
COAX4
C35
C34
C32
C31
C33*
C18
C19
*C9, C11, C12, C21, C22, C23, C24, C25, C26, C27, C28, C29, C30 and C33 are mounted vertically.
C3
C10
C11*
C12*
C15
C38
C37
C36
C29*
C30*
C24*
C23*
C25*
C26*
C27*
C28*
C21*
C22*
C20
C17
C16
C6
Q1
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。
相关PDF资料
MRFG35002N6AT1
TRANS RF 1.5W 6V PWR FET PLD-1.5
MRFG35002N6T1
TRANSISTOR RF FET 3.5GHZ PLD-1.5
MRFG35003ANR5
TRANSISTOR RF 3W 12V PLD-1.5
MRFG35003ANT1
TRANSISTOR RF 3W 12V PLD-1.5
MRFG35003M6T1
MOSFET RF 3.5GHZ 3W 6V 1.5-PLD
MRFG35003MT1
MOSFET RF 3.5GHZ 3W 12V 1.5-PLD
MRFG35003N6AT1
TRANSISTOR RF 3W 6V PLD-1.5
MRFG35003N6T1
MOSFET RF 3.5GHZ 3W 6V 1.5-PLD
相关代理商/技术参数
MRFE6VS25GNR1
功能描述:射频MOSFET电源晶体管 VHV6E 25W50V TO270-2G
RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray
MRFE6VS25LR5
功能描述:射频MOSFET电源晶体管 VHV6E 25W50V NI360L RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray
MRFE6VS25N
制造商:FREESCALE 制造商全称:Freescale Semiconductor, Inc 功能描述:RF Power LDMOS Transistor
MRFE6VS25NR1
功能描述:射频MOSFET电源晶体管 VHV6E 25W50V TO270-2 RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray
MRFE6VS25NR1-CUT TAPE
制造商:Freescale 功能描述:MRFE6VS Series 2000 MHz 25 W 50 V N-Channel RF Power Mosfet - TO-270-2
MRFG35002N6AT1
功能描述:射频GaAs晶体管 1.5W 6V GAAS FET PLD1.5 RoHS:否 制造商:TriQuint Semiconductor 技术类型:pHEMT 频率:500 MHz to 3 GHz 增益:10 dB 噪声系数: 正向跨导 gFS（最大值/最小值）:4 S 漏源电压 VDS: 闸/源击穿电压:- 8 V 漏极连续电流:3 A 最大工作温度:+ 150 C 功率耗散:10 W 安装风格: 封装 / 箱体:
MRFG35002N6R5
功能描述:TRANSISTOR RF 1.5W 6V POWER FET RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> RF FET 系列:- 产品目录绘图:MOSFET SOT-23-3 Pkg 标准包装:3,000 系列:- 晶体管类型:N 通道 JFET 频率:- 增益:- 电压 - 测试:- 额定电流:30mA 噪音数据:- 电流 - 测试:- 功率 - 输出:- 电压 - 额定:25V 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商设备封装:SOT-23-3（TO-236） 包装:带卷 (TR) 产品目录页面:1558 (CN2011-ZH PDF) 其它名称:MMBFJ309LT1GOSMMBFJ309LT1GOS-NDMMBFJ309LT1GOSTR
MRFG35002N6T1
功能描述:TRANSISTOR RF FET 3.5GHZ PLD-1.5 RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> RF FET 系列:- 产品目录绘图:MOSFET SOT-23-3 Pkg 标准包装:3,000 系列:- 晶体管类型:N 通道 JFET 频率:- 增益:- 电压 - 测试:- 额定电流:30mA 噪音数据:- 电流 - 测试:- 功率 - 输出:- 电压 - 额定:25V 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商设备封装:SOT-23-3（TO-236） 包装:带卷 (TR) 产品目录页面:1558 (CN2011-ZH PDF) 其它名称:MMBFJ309LT1GOSMMBFJ309LT1GOS-NDMMBFJ309LT1GOSTR